Carbure de silicium Les céramiques (SiC) présentent une conductivité thermique exceptionnelle, une résistance aux hautes températures, une résistance à l'usure et à la corrosion, largement adoptées dans la fabrication de semi-conducteurs, les nouvelles énergies photovoltaïques, la protection thermique aérospatiale et la métallurgie à haute température. Leurs performances en service sont dominées par la morphologie des grains, les conditions limites des grains et les contraintes résiduelles.
L'EBSD constitue une méthode de caractérisation essentielle pour analyser l'orientation des grains, la texture et les micro-défauts du SiC. Des données EBSD fiables guident l’optimisation du frittage et évitent les pannes de composants. La préparation précise des échantillons détermine le succès de l’indexation EBSD pour les céramiques SiC dures et cassantes. Les papiers de verre standards ne parviennent pas à meuler ; des disques diamantés et un polissage vibratoire sont nécessaires.
Figure 1 : Micrographie d'un échantillon de céramique en carbure de silicium (SiC) (échelle : 300 μm)
Figure 2 : Micrographie d'un échantillon de céramique en carbure de silicium (SiC) (échelle : 300 μm)






