Préparation d'échantillons métallographiques pour les matériaux de blindage électromagnétique- Trojan (Suzhou) material technology Co., Ltd.

Préparation d'échantillons métallographiques pour les matériaux de blindage électromagnétique

03-07-2026

Les revêtements de blindage électromagnétique servent de matériaux de protection de base pour les communications 5G, l’électronique de précision et les nouveaux équipements énergétiques. Dotés de profils ultra-fins, d'une efficacité de blindage supérieure et d'une large compatibilité, ils bloquent efficacement les interférences électromagnétiques et empêchent les fuites de signal, permettant ainsi un fonctionnement stable des composants électroniques dans des environnements électromagnétiques complexes. Ils constituent désormais la solution de blindage électromagnétique légère la plus répandue.

La section métallographique est la méthode d’inspection critique pour analyser la qualité du revêtement de protection. En suivant des procédures standardisées de préparation d’échantillons, notamment l’échantillonnage, le montage, le meulage et le polissage, nous pouvons inspecter visuellement l’uniformité de l’épaisseur du revêtement en coupe transversale et les conditions de liaison interfaciale.

Les tests métallographiques fournissent une évaluation précise de la qualité du revêtement, associent les performances de blindage à la durée de vie, prennent en charge l'optimisation des formules pour les équipes de R&D et contrôlent les écarts de processus pendant la production de masse. Il fournit des données clés pour garantir la fiabilité et la stabilité des produits de blindage électromagnétique.

Ci-dessous se trouve le préparation d'échantillons métallographiques Flux de travail pour l'analyse transversale des matériaux de blindage électromagnétique pour votre référence :

1️⃣ Ponçage grossier avec du papier abrasif P800 pour aplanir la surface

2️⃣ Ponçage fin avec papiers abrasifs P2000 & P4000

3️⃣ Polissage à l'aide d'un chiffon de polissage ET-JP avec suspension d'alumine AO-W 0,05 μm

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